1、面試時(shí)間：外語(yǔ)成績(jī)線公布之后
2、面試形式：提問(wèn)
3、面試內(nèi)容：
第一部分：半導(dǎo)體器件物理
重點(diǎn)考察考生在半導(dǎo)體基本概念、器件物理基礎(chǔ)、深亞微米器件物理知識(shí)方面掌握和理解的程度以及分析問(wèn)題和解決問(wèn)題的能力。
（1）半導(dǎo)體能帶理論及其計(jì)算方法；
（2）半導(dǎo)體中載流子的輸運(yùn)理論；
（3）半導(dǎo)體中熱、電、磁、光、壓阻等效應(yīng)機(jī)理；
（4）半導(dǎo)體器件（MOSFET、BJT）基本原理與非理想效應(yīng)；
（5）化合物半導(dǎo)體材料特性及器件；
（6）半導(dǎo)體超晶格及二維電子氣。
主要參考書(shū)目
（1）《半導(dǎo)體物理學(xué)》，劉恩科等編，電子工業(yè)出版社；
（2）《半導(dǎo)體物理與器件》(美) ，趙毅強(qiáng)、姚素英等譯，電子工業(yè)出版社；
（3）《現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理》，施敏（美），劉曉彥、賈霖、康晉鋒譯，科學(xué)出版社。
第二部分：電介質(zhì)理論
重點(diǎn)考察考生在電介質(zhì)物理基本概念、電介質(zhì)極化、電導(dǎo)、交變電場(chǎng)中的介質(zhì)損耗等方面掌握和理解的程度以及分析問(wèn)題和解決問(wèn)題的能力。
（1）恒定電場(chǎng)中電介質(zhì)的極化； （2）恒定電場(chǎng)中電介質(zhì)的電導(dǎo)；（3）交變電場(chǎng)中電介質(zhì)的損耗。
主要參考書(shū)目：
（1）電介質(zhì)物理導(dǎo)論，李瀚如編，成都電子科技大學(xué)出版社；
（2）電介質(zhì)物理基礎(chǔ)，孫目珍，華南理工大學(xué)出版社；
（3）電介質(zhì)物理，張良瑩、姚熹，西安交通大學(xué)出版社。
4、面試分?jǐn)?shù)：100分
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