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考試科目名稱：半導(dǎo)體物理

科目代碼：846

一、物理基礎(chǔ)

1．晶體中原子的結(jié)合。

2．晶體結(jié)構(gòu)與對(duì)稱性。

3．常見(jiàn)晶體結(jié)構(gòu)。

4．晶格振動(dòng)與聲子。

5．光學(xué)聲子與聲學(xué)聲子。

二、半導(dǎo)體材料的能帶結(jié)構(gòu)

1．能帶的形成。

2．導(dǎo)帶、價(jià)帶、禁帶及禁帶寬度。

3．材料的導(dǎo)電性能與能帶結(jié)構(gòu)的關(guān)系。

4．直接帶隙與間接帶隙。

5．導(dǎo)帶電子與價(jià)帶空穴，載流子。

6．電子與空穴的有效質(zhì)量。

7．施主與受主，類(lèi)氫原子近似。

8．P型、N型和本征半導(dǎo)體材料的特點(diǎn)。

9．雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體導(dǎo)電性能的影響。

三、半導(dǎo)體材料的電學(xué)性能

1．外場(chǎng)下半導(dǎo)體材料中載流子的運(yùn)動(dòng)形式。

2．半導(dǎo)體材料的遷移率與電導(dǎo)率。

3．半導(dǎo)體材料的電學(xué)性能隨溫度的變化。

4．半導(dǎo)體材料的電學(xué)性能隨雜質(zhì)濃度的變化。

5．半導(dǎo)體材料的光電導(dǎo)與非平衡載流子。

6．半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)。

7．半導(dǎo)體材料的熱電現(xiàn)象。

四、半導(dǎo)體器件

1.PN結(jié)的結(jié)構(gòu)與電學(xué)性能，I-V曲線。

2.MOS器件的結(jié)構(gòu)、工作原理及電學(xué)性能特點(diǎn)。

3.雙極型三極管的結(jié)構(gòu)、工作原理及電學(xué)性能特點(diǎn)

4.發(fā)光二極管的工作原理。

5.太陽(yáng)能電池的工作原理。

6.半導(dǎo)體溫度傳感器的工作原理。

五、半導(dǎo)體材料分析測(cè)試技術(shù)

1.半導(dǎo)體材料禁帶寬度的測(cè)量方法。

2.半導(dǎo)體材料中雜質(zhì)電離能的測(cè)量。

3.半導(dǎo)體材料載流子濃度的測(cè)量方法。

4.半導(dǎo)體材料電阻率的測(cè)量。

5.半導(dǎo)體材料中載流子遷移率的測(cè)量方法。

6.半導(dǎo)體材料中少數(shù)載流子壽命的測(cè)量方法。

參考書(shū)目：《半導(dǎo)體物理》(第1版)，季振國(guó)編，浙江大學(xué)出版社，2005.9

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